シリコンカーバイド（SiC）ウエハーは優れた高電圧、大電流特性があり、
従来のシリコンデバイスより小型、低損失のデバイスの実現で注目を浴びております。
電気自動車向けや白物家電向け、ARグラス向け等の製品や、
テスト用の安価品や小ロット案件など様々な用途でのご提案をいたします。

主な特性

バンドギャップ：3.26eV
熱伝導率：4.9W/cm-1k
絶縁破壊電圧：2.6MV/cm
主な用途：パワーMOSFET,IGBT，ショットキー・バリア・ダイオードなど

ウエハー

取扱いメーカー：米国、欧州、中国、台湾、韓国、シンガポール
対応口径：4インチ、6インチ、8インチ、12インチ
Nタイプ、半絶縁性、ARグラス向けなど様々な用途のウエハーをご提案いたします。

SiCウエハー 仕様（パワーデバイス向け）

口径		4インチ	6インチ	8インチ	12インチ
ポリタイプ		4H
導電型		Nタイプ、半絶縁性
表面仕上げ		Si面：CMP(Ra≤0.2nm) C面：MP(Ra≤0.5nm)
抵抗値	Ωcm	0.015 – 0.025			N/A
直径	ｍｍ	100 ± 0.25	150 ± 0.2	200 ± 0.2	200 ± 0.2
厚さ	µｍ	350 ± 25、500 ± 25			700±50
MPD	cm2	Product（MOS）≦ 0.05			N/A
		Product（SBD） ≦0.1
		Dummy ≦10
BPD	cm2	Product（MOS） ≦500			N/A
		Product（SBD） ≦2000
		Dummy N/A
TTV	µｍ	≦10			N/A
Warp	µｍ	≦25	Product（MOS） ≦20	Product（SBD） ≦30	N/A
			Product（MOS） ≦30	Product（SBD） ≦60

 

Epi加工

エピタキシャル（Epi）成膜加工も対応いたします。
量産用の数千枚枚単位から試験開発用の小ロットの対応、
その他成膜加工も対応いたします。

Epi 詳細

サイズ	6インチ	8インチ
導電型	Nタイプ
Epi膜厚	MAX 150µm（Buffer層 0.5-1µm）
膜厚均一性	≦5%
ドーパント濃度	1.00E+18
ドーパント濃度 均一性	≦10%
Warp	≦40µm	≦40µm
Bow	≦25µm	≦25µm
TTV	≦7µm	≦15µm
LTV	≦2µm(10mmx10mm)	≦3µm(10mmx10mm)

再生加工

使用済みウエハーの再生加工の対応をいたします。
再生加工（Epi除去、Hgプローブの除去）

加工後は検査（Candela CS10）した後、納入いたします。
その他、洗浄や測定なども対応いたします。