パワーデバイスは主にインバーター回路やコンバーター回路に使用されています。

電気自動車用のモーター制御等で、高耐圧化が進んでいることもあり、近年SiCウエハーが注目されています。
具体的にはパワーMOSFET、IGBT、ショットキー・バリア・ダイオードなど

主な特性

バンドギャップ：3.26eV
熱伝導率：4.9W/cm-1k
絶縁破壊電圧：2.6MV/cm

取扱いメーカー

アメリカ製3社、ドイツ製1社、中国製2社、シンガポール製1社

SiCウエハー 仕様

サイズ		2インチ	3インチ	4インチ	6インチ	８インチ
ポリタイプ		4H				N/A
導電型		Nタイプ、半絶縁
表面仕上げ		Si面：CMP(Ra≤1nm)　　C面：MP(Ra≤3nm)
抵抗値	Ωcm	0.015 – 0.028				N/A
直径	mm	50.8 ± 0.38	76.2 ± 0.38	100 ± 0.25	150 ± 0.25	200 ± 0.3
厚さ	μｍ	350 ± 25、500 ± 25
MPD	1/cm2	Product ≦1				N/A
		Research ≦5
		Dummy ≦10
TTV	μｍ	≦10				N/A
Warp	μｍ	≦15	≦20	≦25	Product ≦40	N/A
					Research ≦60

 

エピタキシャル成膜

エピタキシャル成膜加工も対応致します。
量産、試験どちらも対応可能です。

Epi 詳細

サイズ	4インチ、6インチ
導電型	Nタイプ、Pタイプ
膜厚	MAX 33μｍ
膜厚均一性	≦10％（実力値≦5％）
ドーパント濃度
ドーパント濃度 均一性	≦5％（1E15 cm-3の場合）
数量	量産時100～1,000枚/月 対応可能です。少量の加工も対応可能です。

再生加工

再生加工の対応を致します。

使用済みウエハーの再生加工（Epi除去、Hgプローブの除去）
CMP不良の研磨

加工後は検査（Candela CS10）した後、納入致します。