化合物ウエハー
SiCウエハー
パワーデバイスは主にインバーター回路やコンバーター回路に使用されています。
電気自動車用のモーター制御等で、高耐圧化が進んでいることもあり、近年SiCウエハーが注目されています。
具体的にはパワーMOSFET、IGBT、ショットキー・バリア・ダイオードなど
主な特性
バンドギャップ:3.26eV
熱伝導率:4.9W/cm-1k
絶縁破壊電圧:2.6MV/cm
取扱いメーカー
アメリカ製3社、ドイツ製1社、中国製2社、シンガポール製1社
SiCウエハー 仕様
サイズ | 2インチ | 3インチ | 4インチ | 6インチ | 8インチ | |
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ポリタイプ | 4H | N/A | ||||
導電型 | Nタイプ、半絶縁 | |||||
表面仕上げ | Si面:CMP(Ra≤1nm) C面:MP(Ra≤3nm) | |||||
抵抗値 | Ωcm | 0.015 – 0.028 | N/A | |||
直径 | mm | 50.8 ± 0.38 | 76.2 ± 0.38 | 100 ± 0.25 | 150 ± 0.25 | 200 ± 0.3 |
厚さ | μm | 350 ± 25、500 ± 25 | ||||
MPD | 1/cm2 | Product ≦1 | N/A | |||
Research ≦5 | ||||||
Dummy ≦10 | ||||||
TTV | μm | ≦10 | N/A | |||
Warp | μm | ≦15 | ≦20 | ≦25 | Product ≦40 | N/A |
Research ≦60 |
エピタキシャル成膜
エピタキシャル成膜加工も対応致します。
量産、試験どちらも対応可能です。
Epi 詳細
サイズ | 4インチ、6インチ |
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導電型 | Nタイプ、Pタイプ |
膜厚 | MAX 33μm |
膜厚均一性 | ≦10%(実力値≦5%) |
ドーパント濃度 | |
ドーパント濃度 均一性 | ≦5%(1E15 cm-3の場合) |
数量 | 量産時100~1,000枚/月 対応可能です。少量の加工も対応可能です。 |
再生加工
再生加工の対応を致します。
使用済みウエハーの再生加工(Epi除去、Hgプローブの除去)
CMP不良の研磨
加工後は検査(Candela CS10)した後、納入致します。