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半導体事業

Semiconductor Equipment Division

化合物ウエハー

SiCウエハー

パワーデバイスは主にインバーター回路やコンバーター回路に使用されています。

電気自動車用のモーター制御等で、高耐圧化が進んでいることもあり、近年SiCウエハーが注目されています。
具体的にはパワーMOSFET、IGBT、ショットキー・バリア・ダイオードなど

主な特性

バンドギャップ:3.26eV
熱伝導率:4.9W/cm-1k
絶縁破壊電圧:2.6MV/cm

取扱いメーカー

アメリカ製3社、ドイツ製1社、中国製2社、シンガポール製1社

SiCウエハー 仕様
サイズ 2インチ 3インチ 4インチ 6インチ 8インチ
ポリタイプ 4H N/A
導電型 Nタイプ、半絶縁
表面仕上げ Si面:CMP(Ra≤1nm)  C面:MP(Ra≤3nm)
抵抗値 Ωcm 0.015 – 0.028 N/A
直径 mm 50.8 ± 0.38 76.2 ± 0.38 100 ± 0.25 150 ± 0.25 200 ± 0.3
厚さ μm 350 ± 25、500 ± 25
MPD 1/cm2 Product ≦1 N/A
Research ≦5
Dummy ≦10
TTV μm ≦10 N/A
Warp μm ≦15 ≦20 ≦25 Product ≦40 N/A
Research ≦60

 

エピタキシャル成膜

エピタキシャル成膜加工も対応致します。
量産、試験どちらも対応可能です。

Epi 詳細
サイズ 4インチ、6インチ
導電型 Nタイプ、Pタイプ
膜厚 MAX 33μm
膜厚均一性 ≦10%(実力値≦5%)
ドーパント濃度
ドーパント濃度 均一性 ≦5%(1E15 cm-3の場合)
数量 量産時100~1,000枚/月 対応可能です。少量の加工も対応可能です。

再生加工

再生加工の対応を致します。

使用済みウエハーの再生加工(Epi除去、Hgプローブの除去)
CMP不良の研磨

加工後は検査(Candela CS10)した後、納入致します。