GaNウエハー

窒化ガリウム（GaN）ウエハーの供給やEpi加工まで対応いたします。
5G、6Gなどの基地局向け高周波デバイスや電気自動車向けのパワーデバイス、光源向けの光デバイス等など様々な用途でのご提案をいたします。

主な特性

バンドギャップ：3.4eV
熱伝導率：2.0W/cm-1k
絶縁破壊電圧：3.3MV/cm

GaN自立基板

対応口径：2インチ、4インチ
パワー、高周波、光デバイス向けなど様々な用途のウエハーをご提案いたします。

GaN自立基板 仕様

各種口径対応	2インチ、4インチ
結晶製造方法	HVPE（気相法）、アモノサーマル法
タイプ	Nタイプ、半絶縁性、UID（ノンドープ）
厚み	450±30µm
その他対応項目	インゴット販売、研磨加工、洗浄

 

HEMT Epi

対応口径：4～12インチウエハーまで。
Si、SiC、GaN、Sapphireなどのベース基板へGaN Epi成膜加工が可能です。

GaN on Si wafers , d-mode

GaN, 2nm

AlGaN (25% Al), t = 20 nm

GaN, t = 175nm

Buffer GaN, t ≥5um

Si, Dia 150mm t ≥ 1000 μm

GaN on Si wafers , e-mode

p-GaN, t < 100nm

AlGaN (25% Al), t =15nm/ AlN, 1nm spacer

GaN, t = 175nm

Buffer GaN, t ≥5um

Si, Dia 150mm t ≥ 1000 μm

GaN HEMT on SiC wafers

GaN, UID, t = 2 nm

AlGaN (24% Al), UID, t = 20nm

AIN spacer, t = 1 nm

GaN (channel), UID, t = 300nm

GaN（C doped), t = 2 μm

Transition layer (AlGaN, 300nm, optional)

Nucleation layer (AIN, <200nm)

Semi-insulating 4H-SiC Dia 100mm, t ≥300 μm

その他化合物ウエハー

種類	各種口径対応
酸化ガリウム（β-Ga203）	50 ～ 100ｍｍ
InP(インジウムリン)	50 ～ 150ｍｍ
GaAs（ガリウムヒ素）	100 ～ 200ｍｍ
Sapphire（サファイア）	100 ～ 200ｍｍ
LT（タンタル酸リチウム）	100 ～ 150ｍｍ
LN（ニオブ酸リチウム）	100 ～ 150ｍｍ

様々な素材での複合ウェハのご提案も可能です。
InGaAsフォトダイオード、DFBレーザーダイオードのwafer/chipの販売、受託製造も対応しております。
光学/レーザー用その他結晶材料の取り扱いもしております。