従来は青色LEDやレーザーダイオードの材料として広く用いられてきましたが、
近年はSiCウエハーより高いバンドギャップをもっていることから、次世代パワーデバイス向けで注目されています。
急速充電器向けダイオード、トランジスタ

また5G通信基地局用途で GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）の需要も高まっています。

主な特性

バンドギャップ：3.4eV
熱伝導率：2.0W/cm-1k
絶縁破壊電圧：3.3MV/cm

GaN自立基板 取扱いメーカー

日本製1社、ポーランド製1社、中国製2社

GaN自立基板 仕様

サイズ		2インチ	4インチ
成長方法		HVPE（気相法）、アモノサーマル法
導電型		Nタイプ 半絶縁 UID（ノンドープ）
表面仕上げ		Ga面：Ra≤3nm Epi ready仕上　　N面：MP(Ra≤3nm)
抵抗値	Ωcm	0.015 – 0.028
直径	mm	50.8 ± 0.3	100 ± 0.25
厚さ	μｍ	350 ± 25
MPD	1/cm2	Product ≦1
		Research ≦5
		Dummy ≦10
TTV	μｍ	≦15	≦30
Warp	μｍ	≦15	≦25

 

エピタキシャル成膜

エピタキシャル成膜加工も対応致します。
Si、SiC、GaN、Sapphireなどのベース基板へGaN Epi成膜加工が可能です。
試験、量産どちらにも可能ですので、ご相談ください。

Epi 詳細

サイズ	2インチ、4インチ、6インチ、8インチ
導電型	Nタイプ、Pタイプ
膜厚	ベース基板次第
膜厚均一性	ベース基板次第
ドーパント濃度
数量	少量の試験から対応可。